各種類型的濺射薄膜材料在半導(dǎo)體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應(yīng)用。20世紀(jì)90年代以來(lái),金銅靶材,濺射靶材及濺射技術(shù)的同步發(fā)展,極大地滿足了各種新型電子元器件發(fā)展的需求。例如,在半導(dǎo)體集成電路制造過(guò)程中,以電阻率較低的銅導(dǎo)體薄膜代替鋁膜布線。
在被濺射的靶極(陰極)與陽(yáng)極之間加一個(gè)正交磁場(chǎng)和電場(chǎng),在高真空室中充入所需要的惰性氣體(通常為Ar氣),磁鐵在靶材料表面形成250~350高斯的磁場(chǎng),哪里有金銅靶材,同高壓電場(chǎng)組成正交電磁場(chǎng)。







平面顯示器(FPD)這些年來(lái)大幅沖擊以陰極射線管(CRT)為主的電腦顯示器及電視機(jī)市場(chǎng),亦將帶動(dòng)ITO靶材的技術(shù)與市場(chǎng)需求。如今的iTO靶材有兩種.一種是采用納米狀態(tài)的氧化銦混合后燒結(jié),一種是采用銦錫合金靶材。銦錫臺(tái)金靶材可以采用直流反應(yīng)濺射制造ITO薄膜,但是靶表面會(huì)氧化而影響濺射率,并且不易得到大尺寸的臺(tái)金靶材。如今一般采取方法生產(chǎn)ITO靶材,金銅靶材報(bào)價(jià),利用L}IRF反應(yīng)濺射鍍膜.它具有沉積速度快.且能控制膜厚,電導(dǎo)率高,薄膜的一致性好,與基板的附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。

工業(yè)上大量使用的是工業(yè)純稀土金屬,較高純度的稀土金屬主要供測(cè)定物理化學(xué)性能之用。主要有四種提純方法在試驗(yàn)室中使用,即真空熔融,真空蒸餾或升華,電遷移和區(qū)域熔煉。 稀土金屬棒在區(qū)域熔煉爐中以很慢的速度(如提純釔時(shí)為0.4毫米/分),哪家有金銅靶材,進(jìn)行多次區(qū)熔,對(duì)去除鐵、鋁、鎂、銅、鎳等金屬雜質(zhì)有,但對(duì)氧、氮、碳、氫無(wú)效。此外,電解精煉、區(qū)熔-電遷移聯(lián)合法提純稀土也有一定效果。


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